Синтез тонких (130 нм) полупроводниковых пленок карбида кремния на кремнии методом ионной имплантации для микроэлектроники
Full Name of the work head: К.Х.Нусупов
Исполнители проекта: Н.Б.Бейсенханов
: Физ.-техн. ин-т
Inventory number: 0207РК01367
Registration number: 0107РК00576
Keywords: Кремний, Полупроводники,
Многократной имплантацией в кремний ионов углерода с энергией 40, 20, 10, 5 и 3 кэВ синтезированы слои карбида кремния, исследованы их структура, состав, топография поверхности после отжига, формирование Si-C связей в интервале 200-1400 {o}C, влияние нанокластеров на процессы кристаллизации.
