Разработка и внедрение спецстойкой и экстратемпературостойкой электронной компонентной базы на основе структур "кремний на изоляторе"
Руководитель проекта: Ю.В.Горелкинский
Исполнители проекта: Х.А.Абдуллин
Организация: Физ.-техн. ин-т
Инвентарный номер: 0207РК01254
Регистрационный номер: 0105РК00153
Ключевые слова: Кремний, Полупроводники,
Исследованы радиационные дефекты в полупроводниковых структурах "кремния на изоляторе" (КНИ). Разработан технологический маршрут изготовления двухзатворных транзисторов на пластинах КНИ и элементов аналого-цифровой схемотехники. Изготовлены элементы аналого-цифровой схемотехники и двухзатворные транзисторы на структурах КНИ. Проведены ресурсные испытания транзисторов к действию космической радиации. Показана работоспособность приборов при температуре 150-300 {o}C и дозах радиации до 2 Мрад.