Разработка и внедрение спецстойкой и экстратемпературостойкой электронной компонентной базы на основе структур "кремний на изоляторе" (КНИ)
Руководитель проекта: Ю.В.Горелкинский
Исполнители проекта: Х.А.Абдуллин
Организация: Физ.-техн. ин-т
Инвентарный номер: 0206РК00998
Регистрационный номер: 0105РК00153
Ключевые слова: Кремний, Полупроводники, Дефекты кристаллических структур, Радиационные дефекты, Облучение материалов,
Определены технологические условия формирования полупроводниковых структур, устойчивых к спецвоздействию (до 1 Мрад) с повышенной (120 {o}С) температуроустойчивостью. Исследованы радиационные дефекты в КНИ-структурах и на границе раздела Si-SiO[2]. Разработан технологический маршрут изготовления двухзатворных транзисторов на пластинах КНИ. Проведены испытания транзисторов к действию космической радиации при моделировании наземными источниками ядерных излучений, показавшие работоспособность приборов при температуре до 150 {o}C и дозе радиации до 2 Мрад.