Исследование возможности создания СВЧ-приборов на основе свободных монокристаллических пленок арсенида галлия-алюминия
Руководитель проекта: Т.И.Таурбаев
Исполнители проекта: В.С.Антощенко
Организация: НИИ эксперим. и теорет. физ. при КазНУ
Инвентарный номер: 0206РК00884
Регистрационный номер: 0104РК00238
Ключевые слова: Шоттки барьер, Полупроводники, Пленочные материалы, Тонкие пленки,
Осуществлена кристаллизация свободно расположенных легированных пленок AlGaAs и тонкопленочных гетероструктур GaAs/AlGaAs. Определены технологические режимы роста пленок и влияние условий кристаллизации на состав и варизонность. Исследованы зонная структура и люминесценция, построена энергетическая зонная диаграмма оптимизированной тонкопленочной структуры с барьером Шоттки. Изготовлены тонкопленочные детекторы СВЧ-диапазона.