Исследование возможности создания СВЧ-приборов на основе свободных монокристаллических пленок арсенида галлия-алюминия
Full Name of the work head: Т.И.Таурбаев
Исполнители проекта: В.С.Антощенко
: НИИ эксперим. и теорет. физ. при КазНУ
Inventory number: 0206РК00884
Registration number: 0104РК00238
Keywords: Шоттки барьер, Полупроводники, Пленочные материалы, Тонкие пленки,
Осуществлена кристаллизация свободно расположенных легированных пленок AlGaAs и тонкопленочных гетероструктур GaAs/AlGaAs. Определены технологические режимы роста пленок и влияние условий кристаллизации на состав и варизонность. Исследованы зонная структура и люминесценция, построена энергетическая зонная диаграмма оптимизированной тонкопленочной структуры с барьером Шоттки. Изготовлены тонкопленочные детекторы СВЧ-диапазона.
