Синтезированы силан, силанопроизводные газы. Проведена глубокая очистка силана с использованием цеолитов. Степень очистки составляет 99,999 %. Методами комбинации перемешивания и принудительного вакуумирования повышен выход силана от 50 до 68 %. На основе а-Si:H n-типа проводимости изготовлен солнечный элемент с КПД 8,5 %, обратным током насыщения 1 мкА, последовательным и шунтирующим сопротивлением 1,2 Ом и 400 кОм соответственно.