Моделирование и мультифрактальный анализ радиационных, фото-, электро- и термостимулированных процессов на поверхности и в объеме материалов
Full Name of the work head: К.С.Бактыбеков
Исполнители проекта: М.К.Мырзахмет
: Евраз. нац. ун-т им. Л.Н. Гумилёва
Inventory number: 0206РК00760
Registration number: 0106РК00340
Keywords: Дефекты кристаллических структур, Радиационные дефекты, Люминесценция, Диэлектрики, Мультифрактальный анализ, Радиационно-стимулированные процессы,
Разработаны алгоритмы моделирования методом клеточного автомата процессов радиационного дефектообразования, термостимулированной люминесценции и переноса энергии электронного возбуждения. Описано явление формирования мультифрактальной структуры агрегатов электронно-дырочных или донорно-акцепторных пар путем "выжигания" хаотической структуры. Мультифрактальный анализ расчетных данных выявил картину эволюции дефектной структуры. Моделирование рекомбинационных процессов при различных температурах показало, что на кинетику люминесценции влияет пространственное распределение центров свечения. Интенсивность образования катионных дефектов уменьшается в порядке KCl -> KBr -> KI. Длинноволновые полосы в спектрах поглощения и возбуждения ионных диэлектрических кристаллов принадлежат парным центрам люминесценции. Расстояние между компонентами парного центра не превышает одну постоянную решетки.
