Разработка технологии изготовления гетеротранзисторов на основе аморфного и кристаллического кремния. Отработка технологических режимов изготовления базовых и эмиттерных областей гетеротранзисторов
Руководитель проекта: Туякбаев А.А.
Исполнители проекта: А.А.Туякбаев
Организация: НИИ хим.технол.и пром.экол.
Инвентарный номер: 0296РК00431
Регистрационный номер: 0194РК00826
Ключевые слова: кремневые, транзисторы, изготовление, технологии, базы, расчетные, параметры,
Разработана методика моделирования влияния на кремниевые транзисторы радиационнотермических процессов. Рассчитаны параметры транзисторов в зависимости от геометрических размеров и профиля легирования базы. Описаны технологические операции по изготовлению гетеро- и варизонных транзисторов.