Разработка технологии изготовления гетеротранзисторов на основе аморфного и кристаллического кремния. Отработка технологических режимов изготовления базовых и эмиттерных областей гетеротранзисторов
Full Name of the work head: Туякбаев А.А.
Исполнители проекта: А.А.Туякбаев
: НИИ хим.технол.и пром.экол.
Inventory number: 0296РК00431
Registration number: 0194РК00826
Keywords: кремневые, транзисторы, изготовление, технологии, базы, расчетные, параметры,
Разработана методика моделирования влияния на кремниевые транзисторы радиационнотермических процессов. Рассчитаны параметры транзисторов в зависимости от геометрических размеров и профиля легирования базы. Описаны технологические операции по изготовлению гетеро- и варизонных транзисторов.
