Установлено, что радиационно-наведенная полоса поглощения в кристаллах K[2]SO[4], активированных ионами переходных металлов, связана с дефектом SO{-}[3], возмущенным примесным центром. В кристаллах K[2]SO[4], активированных ртутеподобными ионами Sn{2+} и Pb{2+}, образуются два типа примесных центров люминесценции, связанных с встраиванием активаторных ионов в неэквивалентные положения катиона калия. Выявлены закономерности влияния гетеровалентных примесных ионов на рекомбинационные процессы. В области фазового перехода при 180 К в кристаллах LiKSO[4], облученных рентгеновскими квантами, обнаружены рекомбинационные "термосцинтилляции". Полиморфный фазовый переход при 180 К существенно влияет на накопление светосуммы в высокотемпературных пиках. Предложен механизм образования радиационных дефектов. В процессах диэлектрической релаксации в сложных кристаллогидратах доминирует миграция протонов.