Исследованы электронные, фотоэлектрические и структурные свойства тонких пленок металлооксидного полупроводника ZnO, полученных магнетронным осаждением и ионно-лучевым распылением на подложки из различных материалов. Отработаны технологические режимы получения металлооксидных пленок. С использованием в качестве подложек кремния р-типа проводимости сформированы гетероструктуры р-Si - n-ZnO. Полученные структуры имеют диодные вольт-амперные характеристики и фоточувствительность в видимой области спектра. Определены зависимости параметров гетероструктур от термической обработки, режимы обработки, приводящие к понижению концентрации центров безызлучательной рекомбинации и повышению интенсивности фотолюминесценции.