Исследованы структурные параметры фотопреобразователей, изготовленных методами термодиффузии, быстрого термического отжига, магнетронного распыления. Показана возможность увеличения плотности тока короткого замыкания за счет оптимизации легирования п-области и ее пассивации. Выявлено влияние удельного сопротивления кремниевых пластин на интенсивность фотолюминесценции пористого кремния. Дана оценка влияния уровня легирования на размеры нанокристаллитов. Отмечено, что увеличение интенсивности фотолюминесценции связано с ростом числа нанокристаллитов. Рассмотрена модель антиотражающего покрытия на основе градиентного слоя. Рассчитана зависимость коэффициента отражения от толщины градиентного слоя для различных профилей сопряжения подложки с окружающей средой. Определена оптимальная толщина градиентного слоя при наличии поглощения. С использованием пленок TiO[2] и Al[2]O[3] можно создать двухслойное антиотражающее покрытие с коэффициентом отражения 3 % в спектральном диапазоне 0,4-1,1 мкм. Изготовлена установка для ламинирования солнечных батарей. Испытан опытный образец солнечной фотоэнергетической установки для автономного электропитания.