Обнаружены эффекты линейного возрастания концентрации носителей с ростом температуры от 50 до 350 {o}C и аномально сильного поглощения микроволнового излучения слоями пористого кремния после термического отжига при 400-500 {o}C. Окисление поверхности пористого кремния при 1000 {o}C ведет к эффективному геттерированию бора из объема нанокристаллитов. В процессе термического отжига на поверхности титана с нанесенным слоем алюминия формируются алюминидные фазы. Предварительное ионное облучение пленок влияет на формирование микроструктуры и кинетику образования алюминидных фаз.