Спектроскопические исследования механизмов образования точечных дефектов и их микроструктуры в ионно-диэлектрических системах при изменении симметрии решетки
Full Name of the work head: К.Ш.Шункеев
Исполнители проекта: К.Ш.Шункеев
: Актоб. гос. пед. ин-т
Inventory number: 0205РК00696
Registration number: 0103РК00422
Keywords: Ионные кристаллы, Дефекты кристаллических структур, Диэлектрики, Структура твердых тел, Экситоны, Автолокализованные экситоны, Щелочно-галоидные кристаллы, Гранецентрированные кристаллы, Объемно-центрированные кристаллы, Аннигиляция, Люминесценция,
Объект исследования: излучательная аннигиляция автолокализованных экситонов (АЛЭ) в щелочно-галоидных кристаллах (ЩГК) при понижении симметрии решетки низкотемпературной одноосной деформацией. Установлено перераспределение интенсивности люминесценции в гранецентрированных ЩГК в пользу симметричной конфигурации АЛЭ, в объемно-центрированных - в пользу асимметричной. Оценена энергия активации тушения люминесценции АЛЭ в ЩГК. Интерпретирован эффект усиления собственной люминесценции ЩГК при низкотемпературной упругой деформации на основании роста высоты потенциального барьера безызлучательного распада АЛЭ на радиационные дефекты. Разработаны криостат для измерения люминесцентно-абсорбционных характеристик кристаллов при низкотемпературной одноосной деформации, способ усиления собственной люминесценции ЩГК.
