Объект исследования: излучательная аннигиляция автолокализованных экситонов (АЛЭ) в щелочно-галоидных кристаллах (ЩГК) при понижении симметрии решетки низкотемпературной одноосной деформацией. Установлено перераспределение интенсивности люминесценции в гранецентрированных ЩГК в пользу симметричной конфигурации АЛЭ, в объемно-центрированных - в пользу асимметричной. Оценена энергия активации тушения люминесценции АЛЭ в ЩГК. Интерпретирован эффект усиления собственной люминесценции ЩГК при низкотемпературной упругой деформации на основании роста высоты потенциального барьера безызлучательного распада АЛЭ на радиационные дефекты. Разработаны криостат для измерения люминесцентно-абсорбционных характеристик кристаллов при низкотемпературной одноосной деформации, способ усиления собственной люминесценции ЩГК.