Теоретическое исследование излучательной рекомбинации в гетеропереходах на основе оксидных полупроводников
Руководитель проекта: С.Е.Кумеков
Исполнители проекта: С.Е.Кумеков
Организация: Каз. нац. техн. ун-т им. К.И. Сатпаева
Инвентарный номер: 0205РК00679
Регистрационный номер: 0103РК00378
Ключевые слова: Излучательная рекомбинация, Полупроводники,
Объект исследования: p-n гетеропереходы на основе оксидных полупроводников p-SrCu[2]O[2]/n-ZnO. На основе спонтанной излучательной рекомбинации электронов и дырок построена модель рекомбинации в n-ZnO области гетероструктуры. Определены параметры энергетического распределения и хвостов плотности состояний в запрещенной зоне ZnO. Предложена модель разогрева плазмы. Рассчитан скачок валентной зоны, определяющий параметры разогрева.