Объект исследования: тонкие пленки оксидов металлов (олово, цинк) и кремния, осажденнные магнетронным распылением на подложки из различных материалов, пористый кремний и алмазоподобные пленки. Изучены электронные, фотоэлектрические и структурные свойства тонких пленок металлооксидных полупроводников ZnO и SnO[2]. Обнаружена фотолюминесценция пленок ZnO при комнатной температуре. Температурная зависимость положения максимума фотолюминесценции в области температур 80-300 К определяется температурной зависимостью ширины запрещенной зоны оксида цинка. Выявлены корреляция электрических и структурных характеристик пленок ZnO при циклическом отжиге при 400 {o}C в вакууме и на воздухе, а также обратимость электрического сопротивления и размеров кристаллитов в процессе отжига.