Объект исследования: p-n-гетеропереходы оксидных полупроводников p-SrCu[2]O[2]/n-ZnO. Построена модель излучательной рекомбинации в n-ZnO области гетероструктуры. Рассчитаны спектры излучения при различных температуре и концентрациях носителей. Определены параметры энергетического распределения и хвостов плотности состояний в запрещенной зоне ZnO.