Paper: Аммонийно-галоидные кристаллы (АГК) являются кубическими ионными кристаллами со структурой решетки типа CsCl. Термостимулированная люминесценция (ТСЛ) АГК имеет максимумы в области температур 110-120, 180-190 и 340-360 К. Низкотемпературный пик свечения с
Исследование процессов фазообразования в системе Fe - Sn
Personal author(s): Коршиев Б. О., Асанов Г. С., Верещак М. Ф., Кадыржанов К. К., Русаков С. Т., Туркебаев Т. Э.,
Type of the document: 02 - CТАТЬЯ ИЗ КНИГИ - СБОРНИКА
Paper: Изучена кинетика фазообразования металлических соединений системы Fe - Sn при изохронных отжигах. Образцы получались следующим образом: железо высокой чистоты (99,98 %) прокатывалось до толщины 10 мкм и отжигалось при температуре 850 град. С в течение 2 ч
Динамика димеризации Н-центров в кристалле KBr
Personal author(s): Бактыбеков К. С., Акылбеков А. Т., Калиакпаров К. О.,
Type of the document: 02 - CТАТЬЯ ИЗ КНИГИ - СБОРНИКА
Paper: Проведены квантово-химические полуэмпирические расчеты методом MNDO с целью выявления наиболее энергетически выгодной конфигурации димеров H-центров в кристалле KBr, а также нахождения точек перевала для потенциальных поверхностей реакции термодиссоциации
Внутреннее трение в саженаполненных композитах с полимерными связующими
Personal author(s): Зайкин Ю. А., Широкая Н. А., Козтаева У. П., Сабитова М. Ш.,
Type of the document: 02 - CТАТЬЯ ИЗ КНИГИ - СБОРНИКА
Document volume: С. 91-93
МРНТИ: 29.19.21
Keywords: трение внутреннее, зависимости температурные, материалы композитные,
Paper: Исследованы процессы механической релаксации и температурные зависимости электрического сопротивления в саженаполненном композитном материале с полимерными связующими. Исследуемые образцы представляют собой слоистый прессованный материал, изготовленный из
Спектры создания свободных экситонов в тонкопленочных щелочно-галоидных кристаллах
Personal author(s): Абдуллин Х. А., Бармина А., Токмолдин С. Ж., Шарипов С., Шункеев С. К., Шункеев К. Ш.,
Type of the document: 02 - CТАТЬЯ ИЗ КНИГИ - СБОРНИКА
Paper: В работе зарегистрированы спектры поглощения свободных экситонов при 80 и 300 К в тонкопленочных кристаллах NaI и KI, а также их спектры рентгенолюминесценции при 80 K. Эксперименты показывают, что при регистрации абсорбционных характеристик пленок достат
Свободные и автолокализованные экситоны в кристалле CsCl при температуре жидкого гелия
Personal author(s): Лущик А. Ч., Ибрагимов К. У., Баймаханов А. Б.,
Type of the document: 02 - CТАТЬЯ ИЗ КНИГИ - СБОРНИКА
Paper: В результате комплексного исследования методами низкотемпературной вакуумно-ультрафиолетовой и термоактивационной спектроскопии свободных и автолокализованных зкситонов в кристаллах CsCl установлены следующие закономерности: 1. Измерениями спектров отраже
Влияние условий синтеза на оптические характеристики кристаллических сульфатов
Personal author(s): Рахимов Д. Е., Мырзахмет М. К., Амандосов А. Т.,
Type of the document: 02 - CТАТЬЯ ИЗ КНИГИ - СБОРНИКА
Document volume: С. 98-99
МРНТИ: 29.31.23
Keywords: свойства оптические, сульфаты калия, выращивание кристаллов,
Paper: Известно, что методы кристаллизации и их аппаратурное оформление зависят от физико-химических свойств исходной фазы и от характера решаемых практических задач. Кристаллизация из растворов является наиболее распространенной. В данной работе проведено экспе
О возможных механизмах создания радиационных дефектов в сульфатах щелочных и щелочноземельных металлов
Personal author(s): Нурахметов Т. Н.,
Type of the document: 02 - CТАТЬЯ ИЗ КНИГИ - СБОРНИКА
Paper: Исследован ряд облученных рентгеновскими и ультрафиолетовыми лучами кристаллов K_2SO_4, Na_2SO_4, LiKSO_4, CaSO_4 и Li_2SO_4, в которых эффективно создаются SO_4 радикалы в различных неэквивалентных положениях. Показано, что радиационные дефекты в области
Люминесценция кристаллов Li_2SO_4 и LiKSO_4
Personal author(s): Чарапиев Б., Нурахметов Т. Н.,
Type of the document: 02 - CТАТЬЯ ИЗ КНИГИ - СБОРНИКА
Paper: Исследуются механизмы собственной и рекомбинационной люминесценции кристаллов Li_2SO_4'.'H_2O и LiKSO_4. Установлено, что люминесценция в этих кристаллах возникает в результате рекомбинации электронов с автолокализованными дырками (SO_4"-), а туннелирован
О кластерной модели примесного центра в ионных кристаллах
Personal author(s): Мырзахмет М. К.,
Type of the document: 02 - CТАТЬЯ ИЗ КНИГИ - СБОРНИКА
Paper: Обсуждается кластерный подход применительно к таллиевым и парным таллиевым центрам в ряде ионных кристаллов. Данные, свидетельствующие о малом радиусе примесного Tl-центра, подтверждаются анализом распределения электронной плотности вокруг дефекта. Рассма
