Цель: корректный учет кластерной и мультикластерной структур атомных ядер при описании ядерных процессов. Определены дифференциальные поперечные сечения упругого и неупругого рассеяний на низколежащий уровень ядра 9Ве (Е=1,68 МэВ), спектроскопические факторы для отделения из ядра 9Ве протонов, S-факторы для присоединения к ядру 7Li нейтрона с образованием тех же уровней ядра 8Li. Проведен расчет угловых распределений в реакции (3Не, ) на ядре 9Ве с учетом основных механизмов процесса. Область применения: теория ядерных реакций при промежуточных энергиях, диагностика термоядерной плазмы.

Цель: расчет спектрофакторов, импульсных распределений, поляризационных характеристик в современных моделях с учетом реалистических волновых функций ядер. Получены: спектроскопические факторы и импульсные распределения для отделения протонов из ядра 6Li и нейтронов из основного состояния ядра 9Ве; анализирующие способности упругого и неупругого рассеяний протонов на ядре 9Ве при энергиях 0,18 и 0,22 ГэВ. Проведено сравнение экспериментальных и расчетных данных. Область применения: теория структуры ядра, ядерные реакции при промежуточных энергиях.

Рассмотрено движение заряженных частиц в поперечной электромагнитной волне с медленно меняющимися параметрами (амплитудой, частотным составом, скоростью распространения). Показана возможность образования такой волной своеобразного пакета. Энергия частиц в пакете возрастает, когда скорость волны стремится к скорости света в вакууме. Приведены формулы расчетов процессов формирования коротких импульсов частиц субрелятивистких энергий с помощью поперечных электромагнитных волн.

Объект исследования: полупроводниковые кристаллы А3В5, в частности GaAs и GaP. Изучено влияние ориентации подложек на характеристики растворения GaAs и GaP расплавами Sn(Bi)-Al. Получены данные по анизотропии растворения подложек с ориентацией (100), (110) и (111)А, В. Проведено компьютерное моделирование процесса растворения подложек (100)GaВ5. Минимизирована степень деградации затравочных подложек при отделяемом росте свободных монокристаллических пленок GaB5.

Объект исследования: фазовые равновесия систем на основе полупроводников А3В5. Установлена возможность получения свободных монокристаллических пленок АlСаР и СаInP из расплавов Sn-Al(In). Определены электрические и оптические свойства пленок, показано проявление квантово-размерных эффектов.

Рассмотрены нелинейные модели спин-фононных систем. Найдены точные солитонные решения и эквивалентные уравнения Шредингеровского типа. Изучена гамильтонова структура. Для (2+1)-мерных солитонных уравнений спиновых систем определены геометрические эквиваленты и решения типа солитонов, дромионов, опрокидывающих волн и т.д.

Объект исследования: нелинейные среды. Показана возможность описания процесса возникновения резонансного поля как смещения полей накачки и стоксового излучения. Результаты могут найти применение в квантовой электронике, нелинейной спектроскопии, оптической волоконной связи.

Исследован солитонный режим вынужденного комбинационного рассеяния, возникающего при нелинейном взаимодействии волн. Показано, что энергия импульса накачки при прохождении через комбинационную среду уходит на возбуждение стоксовой и антистоксовой волн комбинационного рассеяния.

Исследованы процессы тепломассопереноса при сгорании пылеугольного топлива. Получены поля скорости, температуры, концентрации продуктов сгорания экибастузского угля, кокса, золы до и после радиационной обработки.

Исследовано горение ламинарного факела газообразного топлива в прямоугольном канале. Решена задача о ламинарном горении метана в канале. Получены профили скорости, температуры, концентраций исходных веществ в продукте реакции. Выявлена зависимость влияния термодиффузии на распространение пристенных струй у пористой поверхности с поперечным неоднородным вдувом от начальных параметров.