Реферат: Исследовано влияние полиморфных фазовых переходов на радиационно-стимулированные процессы кристаллов LiKSO_4 в температурном диапазоне 80-300 К. Проведено облучение рентгеновским аппаратом УРС-1.0. Установлено, что кривая термостимулированной люминесценци
Особенности релаксации возбужденных электронных состояний в пленках Ленгмюра - Блоджетт
Реферат: Исследованы особенности протекания экситон-экситонной аннигиляции в ленгмюровских пленках ароматических люминофоров. Спектры замедленной флуоресценции (ЗФ) пленок Ленгмюра - Блоджетт при различных концентрациях антрацена и пальмитиновой кислоты состоят из
Электронные процессы в аморфных полупроводниковых пленках с разной структурной модификацией
Автор(ы): Сарсембинов Ш. Ш., Приходько О. Ю., Рягузов А. П., Максимова С. Е.,
Вид документа: 02 - CТАТЬЯ ИЗ КНИГИ - СБОРНИКА
Объем документа: С. 26-28
МРНТИ: 29.19.31
Ключевые слова: полупроводники халькогенидные стеклообразные, свойства электронные, свойства оптические, свойства фотоэлектрические,
Реферат: Приводятся и обсуждаются результаты исследования электронных свойств и атомной структуры аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) системы As-Se составов As_x-Se_1_-_x (x=0,2, 0,4, 0,5, 0,6, 0,8), полученных методами термического
Описание температурной зависимости кинетики затухания фосфоресценции красителя бенгальского розового в присутствии антрацена на неоднородной поверхности кремнезема методом экспоненциальной регрессии
Реферат: При изучении сложных систем и процессов адсорбции на них необходимо учитывать факт возникновения релаксационных процессов при взаимодействии компонент поверхность твердого тела + молекулярные агрегаты. К числу таких процессов относятся процессы переноса э
О структуре двойного слоя в оксидных твердых электролитах
Реферат: В рамках классической решеточной модели ионного кристалла ZrO_2 исследовано строение двойного слоя. Рассмотрена подсистема дефектов в приповерхностной области. Для изучения распределения дефектов свободная энергия записана в приближении среднего поля. Ее
Фотолюминесценция ионов Sm"3"+ в кристаллах K_2SO_4
Автор(ы): Кукетаев Т. А., Ким Л. М., Ныгыманова А. С.,
Реферат: Изучены спектры возбуждения и излучения люминесценции монокристаллов K_2SO_4, активированных ионами Sm"3"+ при температуре жидкого азота. Спектры возбуждения были измерены в полосах излучения 3,54 и 3,12 эВ. Определено, что для излучения в области 3,54 на
Фрактальный характер агрегации радиационных дефектов в кристаллах
Автор(ы): Бактыбеков К. С., Акылбеков А. Т., Карстина С. Г., Васильева И. Ф.,
Вид документа: 02 - CТАТЬЯ ИЗ КНИГИ - СБОРНИКА
Объем документа: С. 52-54
МРНТИ: 29.19.11
Ключевые слова: структуры кристаллические, дефекты радиационные, фракталы,
Реферат: Исследована эволюция первичных пар дефектов, которые создаются в результате облучения радиацией твердых тел, при низких температурах, т. е. без учета их подвижности. Для решения поставленной задачи использовалось компьютерное моделирование методом клеточн
Исследование локализации и миграции междоузельного диполя K_i"+Br_i"- в решетке KBr
Автор(ы): Акылбеков А. Т., Бактыбеков К. С., Калиакпаров К. О.,
Реферат: Проведено компьютерное моделирование локализации и миграции междоузельного диполя K_i"+Br_i"- в решетке KBr. Моделирование проводилось квантово-химическим методом MNDO. Компьютерный расчет показал. что диполь K_i"+Br_i"- локализуется в кристаллической реш
Реферат: Особенностью кинетики радиационной проводимости частично кристаллических полимеров при непрерывном воздействии электронами (75 кэВ) с мощностью дозы D>10 Гр/с в области температур 100-373 К является наличие двух и более максимумов при определенных темпера
Исследование и расчет параметров релаксаторов в кристаллах CuSO_4.5H_2O
Автор(ы): Тонконогов Н. П., Исмаилов Ж. Т., Фазылов К. К., Баймуханов З. К.,
Реферат: Разработана методика сопоставления теоретических и экспериментальных зависимостей плотности термостимулированного тока деполяризации от температуры в монокристалле CuSO_4.5H_2O. Измерения выполнены при напряженности поляризующего поля E_п=2.10"5 В/м, темп
