Реферат: Исследования показали, что в среднем 50 % трудоспособного населения сельских районов Алматинской области, независимо от уровня энергозатрат, имеют уровень соматического здоровья <ниже среднего>, 15% населения имеют <низкий> уровень и только 35% от общего число обследованного населения имеют <средний> уровень здоровья. При этом выявлено, что у лиц со сниженным уровнем здоровья уже присутствуют хронические заболевания кардиореспираторной системы, в основном артериальная гипертония, хронические бронхиты.
Оценка состояния здоровья у населения, проживающего в Иле-Балхашском регионе
Автор(ы): Капышева У. Н.*Бахтиярова Ш. К.*Баимбетова А. К.*Ахметова М. Н.*Жаксымов Б. И.*Кисебаев Ж. С.*Махмудова Л. Х.*
Объем документа: С. 29-33
МРНТИ: 34.39.55
Ключевые слова: экология*оценка здоровья населения*
Реферат: Количественная оценка состояния здоровья населения Иле-Балхашского региона показала, что почти половина населения имеет <средний> и <ниже среднего> уровни физического здоровья (48-52%), остальные имеют проблемы со здоровьем. При этом более благополучная картина была отмечена у городских жителей, процент их со <средним> и <ниже среднего> уровнями физического здоровья составил 55-60%.
Сравнительная оценка уровня соматического здоровья городских и сельских школьников
Автор(ы): Капышева У. Н.*Ахметова М. Н.*
Объем документа: С. 291-293
МРНТИ: 34.39.55
Ключевые слова: соматическое здоровье школьников*здоровье городских школьников*здоровье сельских школьников*
Реферат: Экспресс-оценка уровня соматического здоровья городских и сельских школьников показала наличие <среднего> уровня физических возможностей учащихся, хотя имелись достоверные отличия между данными города и села по отдельным показателем.
Influence of treatment in the (O2, H2) plasma on the structure and physical properties of SnOx films
Реферат: Рассмотрено влияние обработки водородной и кислородной плазмой тлеющего разряда на структурные и оптические свойства пленок SnOх толщиной 270-350 nm, полученных магнетронным распылением и золь-гель методом на стеклянной подложке. Показано сегрегирующее и разрушающее воздействие плазмы на структуру кристаллитов и прозрачность пленок, а также на их пористость. Выявлена принципиальная возможность получения посредством обработки в водородной плазме тлеющего разряда кристалло-аморфных наноструктур, в которых качественные нанокристаллы оксидов олова чередуются с кластерами оксидов олова.
Crystallization of beta-SiC in thin SiCxlayers (x = 0.03-1.4) synthesized by multiple implantation of carbon ions into silicon
Реферат: Методами оже-электронной спектроскопии, рентгеновской дифракции, инфракрасной спектроскопии и атомно-силовой микроскопии исследуются состав и структура однородных слоев SiC1.4, SiC0.95, SiC0.7, SiC0.4, SiC0.12, и SiC0.03 , полученных многократной высокодозовой имплантацией ионов углерода с энергиями 40, 20,10, 5 и 3 keV в кремний. Рассматривается влияние распада углеродных и углеродно-кремниевых кластеров на формирование тетраэдрических связей Si-C и процессы кристаллизации в слоях кремния с высокой и низкой концентрацией углерода.
An influence of hydrogen glow discharge plasma treatment on structural properties of SnOx and SiC1.4 thin films
Реферат: В работе исследовалось влияние обработки в водородной плазме тлеющего разряда на структурные свойства тонких пленок SiC1,4 и SnOx. Слой SiC1,4 получен многократной имплантацией ионов углерода с энергиями 40, 20, 10, 5 и 3 кэВ в кремниевую подложку. Обнаружено, что обработка в водородной плазме приводит к полному распаду кристаллитов кремния в переходном слое пленка-подложка (SiC-Si) и ухудшению структурного совершенства кристаллитов карбида кремния в слое SiC1,4. Пленки SnOx толщиной 350 нм получены методом магнетронного осаждения в атмосфере Ar-O2 на стеклянной подложке. Показано, что фазовый состав и структура пленок SnOx существенно зависят от давления смеси Ar-O2 в камере в пределах 1,0-2,7 Па. Показано различное влияние водородной и кислородной плазмы на процессы сегрегации и распада поликристаллических фаз в пленках SnOx. Очевидно, что воздействие водородной плазмы распространяется на всю глубину пленок (200-300 нм), вызывая распад кристаллитов кремния или оксида олова. Проникновение большого количества ионов водорода плазмы через твердую пленку предполагает насыщение материала пленок атомами водорода.
Динамика формирования мозаичной структуры пористого кремния при длительном анодном травлении в электролитах с внутренним источником тока
Автор(ы): Тыныштыкбаев К. Б.*Рябикин Ю. А.*Мить К. А.*Ракыметов Б. А.*Айтмукан Т.*
Реферат: При длительном анодном травлении p-Si (100) в электролитах с внутренним источником тока наблюдается спонтанное формирование мозаичной структуры пористой поверхности в виде островков окисленных нанокристаллитов por-Si, разделенных кремниевыми выступами. Процесс спонтанного формирования мозаичной структуры por-Si происходит в результате релаксации упруго-напряженного слоя пористой поверхности. Самоорганизация мозаичной структуры поверхности por-Si, размеры островков и период их расположения определяются совокупностью ряда факторов, возникающих в сложной гетерофазной системе электролит/por-Si/c-Si/ в процессе травления: пространственно-временным распределением точечных дефектов междоузлий ISi и вакансий VSi в приповерхностной области c-Si, возникновением капиллярно-флуктуационных сил на границе раздела электролит/por-Si/c-Si/, наличием сил упругой деформации из-за рассогласованности параметров решеток окисленных нанокристаллитов por-Si и c-Si матрицы. Условия проявления этих сил зависят от самосогласованных параметров режимов травления сложной гетерофазной электрохимической системы электролит/por-Si/c-Si/ с внутренним источником тока, включая характеристики электродов и параметры ячейки.
Self-organization of highly ordered mosaic structure of porous silicon at long anodic etching of p-type silicon in the electrolyte with internal current source
Реферат: Self-organization of highly ordered mosaic structure of porous Si at long anodic etching of p-Si (100) in electrolyte with internal source of current is observed. Sizes of the nanocrystallites islets of porous Si, the period of their location and self-organization of the mosaic structure of porous silicon are defined by the effects of forces of elastically-deformation, defect-deformation and capillary-fluctuation, which exist at the interface of electrolyte/porous Si/c-Si/ in process of pores formation. Process of spontaneous formation of mosaic structure por-Si has place in result of the relaxation of elastically-strained layer of porous surface and the influence of capillary-fluctuation forces. Shown is a substantial role of the oxidized silicon surface during the formation of islets of the mosaic structure por-Si during long anodic etching p-Si (100) in the electrolyte HF: H2O2. The main features of formation and ordering of three-dimensional islets of nanocrystallites por-Si during long anodic etching are discussed. Formation and ordering of them occurs due to quantum size effects, taking place on the local microscopic the sites of atomically rough surface of real crystal Si as well as in the case of epitaxial growth of nanocrystallites and their self-assembled on the surface of semiconductors A3B5 and Si. Conditions of development of these forces depend from the self-coordinated parameters of etching interface the electrolyte/porous Si/с-Si/ and parameters of electrodes and the electrochemical cell. Based on the results of the processes of pore formation in the monocrystal of silicon at etching his and further formation of cracks at long etching is made conclusion about the common nature of cracks of radiation and nonradiation the origin in the conditions of soft influence when possible formation of quasi-equilibrium point defects and their subsequent migration to the different drains.
О вероятности повторных взаимодействий лидирующих частиц внутри ядра при энергии больше 10 ТэВ
Автор(ы): Байгубеков А. С.*Жунусбеков М. К.*Застрожнова Н. Н.*Новолодская О. А.*Садыков Т. Х.*
Реферат: Анализ экспериментальной информации, полученной при исследовании космических лучей и в ускорительных экспериментах, приводит к заключению о том, что рождение новых частиц происходит не мгновенно, а занимает пространственно временной интервал, намного превышающий межнуклонные расстояния. Это означает, что растянутый в пространстве и времени процесс рождения не может быть сведен к простой суперпозиции нуклон-нуклонных актов.
