Реферат: Проведен анализ фазового равновесия четверных систем на основе соединений A\"3B\"5, содержащих в качестве основного компонента Sn или Bi. Показано, что изотерм ликвидуса и солидуса определяет возможность кристаллизации свободных наноразмерных пленок этих соединений.
Радиационное создание и отжиг наноразмерных дефектов в кристаллах NaCl
Реферат: Изучены радиационные дефекты NaCl, облученных при 300 К тяжелыми ионами Au, \'alpha\'-частицами, X-лучами, а также XeCl- и ArF-лазерами, селективно создающие экситоны или горячие электронно-дырочные пары и электроны при температуре жидкого гелия. При 6 К и катодолюминесценции и последующей фосфоресценции выделены полосы свечения автолокализованного экситона и излучательная туннельная рекомбинация электронов из двух состояний F-центров с автолоколизованным рядом дырок. Прыжковая диффузия I- и H-интерстициалов в NaCl сопровождается термостимулированной люминесценцией при 15-27 К и 30-45 К соответственно.
Компьютерное моделирование процессов фазообразования в системе Ni-Al с концентрацией компонентов, соответствующих фазам Ni_3Al и NiAl
Автор(ы): Денисова Н. Ф.*Старостенков М. Д.*Скаков М. К.*
Реферат: Произведено моделирование процессов растворения наночастиц алюминия в никелевой матрице. Методом молекулярной динамики исследуется двумерный бикристалл в процессе саморастворяющегося высокотемпературного синтеза. В качестве матричного бикристалла взят чистый никель, в центре которого внедрена наночастица Al разного размера шестиугольной симметрической формы. В результате компьютерного эксперимента в процессе растворения частицы Al определена температура начальных этапов перестройки системы.
Effect of high doses of N\"+, N\"++Ni\"+, and Mo\"++W\"+ ions on the physicomechanical properties of TiNi
Автор(ы): Pogrebnyak A. D.*Bratushka S. N.*Malikov L. V.*Levintant N.*Erdybaeva N. K.*Plotnikov S. V.*Gritsenko B. P.*
Реферат: Методами обратного резерфордовского рассеяния, сканирующей электронной микроскопии, энергодисперсионной микроскопии, рентгеновской дифракции, измерений нанотвердости и модуля упругости были исследованы образцы TiNi, имплантированные ионами N\"+, N\"++Ni\"+ и Mo\"++W\"+ при дозе 10\"1\"7-10\"1\"8 ион/см\"2. Выявлена концентрация пика Ni\"+ между двумя максимумами в глубине профиля концентрации иона N+. Рентгеновская дифракция (в профильной геометрии) образцов TiNi, имплантированных ионами Ni\"+ и N\"+, показала формирование фаз TiNi (B2), TiN и Ni_3N. В первоначальном состоянии модуль упругости образцов равен E=56 ГПа при твердости H=2,13\'+-\'0,30 ГПа (на глубине 150 нм). После двойной имплантации ионами N\"++Ni\"+ и Mo\"++W\"+ твердость образцов равна 2,78\'+-\'0,95 ГПа на глубине 150 нм и 4,95\'+-\'2,25 ГПа на глубине 50 нм; модуль упругости равен 59 ГПа. Отжиг образцов при 550 \'deg\' C ведет к увеличению твердости до 4,44\'+-\'1,45 ГПа и резкому увеличению модуля упругости до 236\'+-\'39 ГПа. Определена корреляция между элементным составом микроструктуры, эффектом памяти формы и механическими свойствами в приповерхностном слое TiNi.
Система регистрации кинетики затухания длительной люминесценции
Реферат: Приведены результаты исследований и разработки системы регистрации, позволяющей измерить спектры и кинетику длительной люминесценции нанопленок органических люминофоров - объектов с малым квантовым выходом. Представлена блок-схема установки, включающая в состав плату М8784 и системы управления и сбора данных. Для проверки временных характеристик установки была проведена серия экспериментов по измерению кинетики затухания длительной люминесценции красителя эозина в поливиниловом спирте с концентрацией 10\"-\"7 моль/л. Полученные данные совпадают с результатом, приведенным в литературе.
The Computer Modeling of Distribution of In, As and Nanostructures on Depth in Si and Si0_2
Реферат: Синтезированы кристаллиты InAs в матрице кристаллического кремния при высоко дозовой <горячей> имплантации, имплантации при комнатной температуре ионов In и As и постимплантационном высокотемпературном отжиге. Для анализа распределения примесей использован метод резерфордовской спектроскопии обратного рассеяния с каналированием. Определение структурных характеристик имплантированных слоев производилось просвечивающей электронной микроскопией и электронной микроскопией сечений. Обсуждались особенности процесса перераспределения примесей по глубине кристалла, а также влияние условий ионной имплантации и последующей термической обработки на структурные характеристики нанокластеров.
TEM study of TiN coatings fabricated by mechanical milling using vibration technique
Автор(ы): Romankov S. E.*Hayasaka Y.*Kalikova G.*Komarov S. V.*Hayashi N.*Kasai E.*
Реферат: Применен метод механического дробления для напыления покрытий TiN. Принцип данного метода заключается в том, что подложка и порошок помещаются вдоль шариков в вибрационной камере, которая вибрирует в механическом реакторе. В процессе механического дробления, поверхность подложки была подвержена большому количеству ударов падающих шариков. Частицы TiN, захваченные между шариками и подложкой холодно привариваются к поверхности. При повторных соударениях подложки - шариков частицами TiN в напылении покрытия поверхности подложки пренебрегают. Данный процесс позволил утолщать покрытие TiN при комнатной температуре окружающей температуры. Проведено исследование формирования покрытия с помощью пропускающей электронной микроскопии (ПЭМ). Определено, что формирование покрытия зависит от первоначального размера частиц TiN. Наночастицы размером 50 нм легче сплавляются, чем микрочастицы размером 1,5 мкм. Наночастицы имеют тенденцию к укреплению и уплотнению в сплошном материале при приложенной нагрузке сжатия. Наночастицы лучше укрепляются и уплотняются на твердой поверхности Ti, чем на мягкой поверхности Al.
Fabrication of TiN coatings using mechanical milling techniques
Автор(ы): Romankov S. E.*Komarov S. V.*Vdovichenko E.*Hayasaka Y.*Hayashi N.*Kaloshkin S. D.*Kasai E.*
Реферат: Механический помол, ультразвуковые механические покрытия и бронирование (УМПБ) были применены для нанесения покрытий TiN на различные подложки. Порошок и шарики были размещены в вибрационной камере. Подложка может быть расположена в камере с порошком или она может быть зафиксирована на верху камеры. В течение процесса механической активации поверхность подложки подвергается высокоэнергичным ударениям шариками. Частицы порошка, заключенные между шариками и подложкой, холодно привариваются к поверхности. Покрытия TiN могут формироваться за короткое время при комнатной температуре окружающего воздуха. Были определены толщина, шероховатость и структура, которые зависят от твердости подложки, интенсивности дроблния и первоначального размера частиц TiN. Покрытия, приготовленные механическим дроблением, имеют толщину до 18 мкм, при использовании шариков размером 7 мм и частиц 50 нм. УМПБ может быть применено для формирования гладких равномерных поверхностей (толщиной 5 мкм) после обработки в течении 6 мин на пластинах 10 см.
Ядерно-оптические преобразователи. I. Лазеры с прямой ядерной накачкой
Реферат: Обсуждаются два возможных пути преобразования ядерной энергии в лазерное излучение - прямая и комбинированная ядерная накачка лазеров. Рассмотрены особенности активных сред лазеров с ядерной накачкой. Дан обзор имеющихся в литературе результатов исследований в области прямого преобразования ядерной энергии в энергию когерентного светового излучения. Приведены результаты экспериментальных и теоретических исследований казахстанских ученых активных сред лазеров на связанно-связанных атомарных переходах с прямой ядерной накачкой.
Ядерно-оптические преобразователи. II. Лазеры с комбинированной ядерной накачкой
Реферат: Представлен обзор исследований лазеров с комбинированной ядерной накачкой. Рассмотрен вопрос применения электроионизационного метода накачки лазеров в условиях стационарного ядерного реактора. Анализируется вопрос использования газообразных \'beta\'-излучателей для объемной ионизации активных сред лазеров высокого давления. Обсуждается концепция исследования активных сред лазеров, способных работать, как с прямой, так и с комбинированной ядерной накачкой.
