Новый метод создания приборных структур на полученных слоях оксида цинка разработан учеными КазНИТУ имени К.И.Сатпаева. Научный руководитель проекта - д–р физ.–мат.наук, профессор С.Е. Кумеков.
Полученные слои оксида цинка и оксидов меди являются важными полупроводниковыми материалами в приборостроении (прозрачные электроды для солнечных элементов, люминофоры, детекторы, светодиоды, нелинейные элементы и пр.), могут быть успешно применены для создания гибких и недорогих солнечных элементов, лазерных диодов. Авторами проекта впервые получен полупроводниковый тонкоплёночный гетеропереход оксид цинка\оксид меди путём осаждения слоя оксида меди методом магнетронного распыления меди с последующим термическим окислением на предварительно полученную плёнку оксида цинка.
Технология может использоваться для создания фотовольтаических преобразователей, выпрямителей тока, работающих на основе полупроводникового тонкоплёночного гетероперехода. Данные устройства широко применяются в различных областях электроники, сенсорики, и фотовольтаики.

Источник: Отдел по связям с общественностью АО "НЦГНТЭ"